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存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法

2023-05-12 12:03:59 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210201107.7
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN114596893A
  • 申请人:长江存储科技有限责任公司
摘要:本申请提供一种存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法,该存储器件包括多个存储串,每个存储串包括被划分为多个层级的子存储串,每个子存储串包括多个存储单元、SSG晶体管、以及DSG晶体管,该方法包括:在预充电阶段,对位于多个层级中的第一层级的DSG晶体管、存储单元、以及SSG晶体管施加导通电压;在施加导通电压之后,经由每个存储串的两端施加预充电电压;以及在编程阶段,在对待编程的存储串包括的DSG晶体管施加漏极选择电压的同时,将其余存储串包括的DSG晶体管关断。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114596893 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202210201107.7 (22)申请日 2022.03.03 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开 发区未来三路88号 (72)发明人 王均保 黄莹  (74)专利代理机构 北京英思普睿知识产权代理 有限公司 16018 专利代理师 刘莹 聂国斌 (51)Int.Cl. G11C 11/4094 (2006.01) G11C 11/4074 (2006.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图8页 (54)发明名称 存储器件、存储器系统以及存储器件的编程 操作方法 (57)摘要 本申请提供一种存储器件、存储器系统以及 存储器件的编程操作方法,该存储器件包括多个 存储串,每个存储串包括被划分为多个层级的子 存储串,每个子存储串包括多个存储单元、SSG晶 体管、以及DSG晶体管,该方法包括:在预充电阶 段,对位于多个层级中的第一层级的DSG晶体管、 存储单元、以及SSG晶体管施加导通电压;在施加 导通电压之后,经由每个存储串的两端施加预充 电电压;以及在编程阶段,在对待编程的存储串 包括的DSG晶体管施加漏极选择电压的同时,将 其余存储串包括的DSG晶体管关断。 A 3 9 8 6 9 5 4 1 1 N C CN 114596893 A

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