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一种异向单晶高温合金连接方法2025

2023-09-24 08:29:10 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202310767690.2
  • 公开(公告)日:2025-07-01
  • 公开(公告)号:CN116786933A
  • 申请人:北京科技大学
摘要:本发明公开了一种异向单晶高温合金连接方法,该连接方法采用直接从单晶高温合金母材成分中分离出来的低熔合金组分和高熔合金组分,且低熔合金组分和高熔合金组分配合后形成与母材成分相等/近似的连接材料,连接时将连接材料粉末与有机溶剂搅拌均匀成膏状,均匀涂抹制备成异向镍基单晶高温合金待连接件的表面,用夹具固定后;置于真空钎焊炉内进行钎焊,炉温降至室温后,得到非单晶高温合金连接层的异向单晶高温合金连接件。本发明的连接材料中不含降熔元素,所以连接层不存在富Si和B脆性化合物或共晶组织;接头的成分均匀化过程属于大扩散面积、短扩散距离的快速扩散机制,因而可以大大加快连接过程的动力学。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116786933 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310767690.2 (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人 北京科技大学 地址 100083 北京市海淀区学院路30号 (72)发明人 黄继华 邹太勇 郎振乾 叶政  王万里 杨健  (74)专利代理机构 北京金智普华知识产权代理 有限公司 11401 专利代理师 岳野 (51)Int.Cl. B23K 1/008 (2006.01) B23K 3/08 (2006.01) B23K 1/20 (2006.01) B23K 20/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 一种异向单晶高温合金连接方法 (57)摘要 本发明公开了一种异向单晶高温合金连接 方法,该连接方法采用直接从单晶高温合金母材 成分中分离出来的低熔合金组分和高熔合金组 分,且低熔合金组分和高熔合金组分配合后形成 与母材成分相等/近似的连接材料,连接时将连 接材料粉末与有机溶剂搅拌均匀成膏状,均匀涂 抹制备成异向镍基单晶高温合金待连接件的表 面,用夹具固定后;置于真空钎焊炉内进行钎焊, 炉温降至室温后,得到非单晶高温合金连接层的 异向单晶高温合金连接件。本发明的连接材料中 不含降熔元素,所以连接层不存在富Si和B脆性 化合物或共晶组织;接头的成分均匀化过程属于 A 大扩散面积、

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