反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116343843 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111590314.8 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 季汝敏　 (74)专利代理机构 上海晨皓知识产权代理事务 所(普通合伙) 31260 专利代理师 成丽杰 (51)Int.Cl. G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/06 (2006.01) G11C 17/16 (2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及 其设计方法 (57)摘要 本公开实施例提供一种反熔丝存储版图及 其电路、反熔丝存储器及其设计方法，反熔丝存 储版图包括 ：有源区，沿第一方向延伸且沿第二 方向分立排布，每一有源区包括沿第一方向排布 的至少两个存储单元区，每一存储单元区包括沿 第一方向排布的反熔丝区和控制区，在沿第一方 向上，相邻存储单元区的控制区相邻接；字线区， 沿第二方向延伸且与控制区相交 ；电连接区，沿 第二方向延伸且与反熔丝区相交 ；编程控制区， 沿第三方向延伸且位于相应的有源区的一侧，且 编程控制区与沿第一方向排列的电连接区相交。 A 本公开实施例至少有利于缩小反熔丝存储版图 3 的布局面积。 4