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用于存储器阵列的泄漏补偿

2023-06-15 07:14:25 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201980079522.6
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN113168853A
  • 申请人:美光科技公司
摘要:本申请案针对于用于存储器阵列的泄漏补偿。举例来说,泄漏电流可从未被选存储器单元引入到数字线上。在一些情况下,补偿组件可在读取操作的第一阶段期间在所述目标存储器单元已与所述数字线耦合之前与所述数字线耦合。所述补偿组件可对所述数字线上的电流取样并且存储所述所取样电流的表示。在所述读取操作的第二阶段期间,所述目标存储器单元可与所述数字线耦合。在所述第二阶段期间,所述补偿组件可通过在所述读取操作期间基于所述所取样电流的所述所存储表示输出所述数字线上的电流来补偿泄漏或其它寄生效应。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113168853 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079522.6 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 (22)申请日 2019.11.26 代理人 王龙 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16/216,057 2018.12.11 US G11C 5/14 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G11C 11/22 (2006.01) 2021.06.01 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2019/063395 2019.11.26 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/123151 EN 2020.06.18 (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 D ·维梅尔卡蒂  权利要求书3页 说明书26页 附图8页

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