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高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法

2023-08-17 07:06:37 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211550172.7
  • 公开(公告)日:2025-07-18
  • 公开(公告)号:CN116590695A
  • 申请人:浙江工业大学
摘要:本发明公开一种高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法。该方法将化学气相沉积过程中进入薄膜的钽原子掺杂于纳米级界面处。该掺杂方法不同于传统的晶格替代掺杂,很好地解决了金刚石中n型掺杂的难题,也为解决其他宽带隙材料的掺杂难题提供了新途径。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116590695 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202211550172.7 C30B 29/04 (2006.01) (22)申请日 2022.12.05 (71)申请人 浙江工业大学 地址 310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路 18号 (72)发明人 胡晓君 郑玉浩 唐彬杰 陈成克  蒋梅燕 李晓 鲁少华  (74)专利代理机构 杭州天正专利事务所有限公 司 33201 专利代理师 黄美娟 黄竞云 (51)Int.Cl. C23C 16/56 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C30B 29/60 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备 方法 (57)摘要 本发明公开一种高电导率高迁移率n型金刚 石薄膜及其制备方法。该方法将化学气相沉积过 程中进入薄膜的钽原子掺杂于纳米级界面处。该 掺杂方法不同于传统的晶格替代掺杂,很好地解 决了金刚石中n型掺杂的难题,也为解决其他宽 带隙材料的掺杂难题提供了新途径。 A 5 9 6 0 9 5 6 1 1 N C CN 116590695 A 权

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