高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法
- 申请专利号:CN202211550172.7
- 公开(公告)日:2025-07-18
- 公开(公告)号:CN116590695A
- 申请人:浙江工业大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116590695 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202211550172.7 C30B 29/04 (2006.01) (22)申请日 2022.12.05 (71)申请人 浙江工业大学 地址 310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路 18号 (72)发明人 胡晓君 郑玉浩 唐彬杰 陈成克 蒋梅燕 李晓 鲁少华 (74)专利代理机构 杭州天正专利事务所有限公 司 33201 专利代理师 黄美娟 黄竞云 (51)Int.Cl. C23C 16/56 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C30B 29/60 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备 方法 (57)摘要 本发明公开一种高电导率高迁移率n型金刚 石薄膜及其制备方法。该方法将化学气相沉积过 程中进入薄膜的钽原子掺杂于纳米级界面处。该 掺杂方法不同于传统的晶格替代掺杂,很好地解 决了金刚石中n型掺杂的难题,也为解决其他宽 带隙材料的掺杂难题提供了新途径。 A 5 9 6 0 9 5 6 1 1 N C CN 116590695 A 权
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