发明

一种Ag-Cu-Al合金薄膜及其制备方法2025

2024-02-04 07:19:16 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311435761.5
  • 公开(公告)日:2025-07-25
  • 公开(公告)号:CN117467939A
  • 申请人:西安交通大学
摘要:发明公开了一种Ag‑Cu‑Al合金薄膜及其制备方法,按原子含量百分比计,Cu为4‑28%,Al为3‑18.3%,其余为Ag;采用磁控溅射共溅射的方法制备Ag‑Cu‑Al合金薄膜,所得薄膜成分均匀,组织致密,在磁控溅射共溅射通过控制沉积功率来调整Ag‑Cu‑Al合金薄膜中Cu和Al的含量,使合金薄膜的微观组织形成纳米晶、超细纳米晶或晶体‑非晶双相纳米结构,Cu和Al的合金化可以有效提高Ag合金薄膜的力学性能,其强化效果随着Cu和Al的含量的升高而提升。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117467939 A (43)申请公布日 2024.01.30 (21)申请号 202311435761.5 (22)申请日 2023.10.31 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西 路28号 (72)发明人 吴凯 朱辰暄 张金钰 王亚强  刘刚 孙军  (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 范巍 (51)Int.Cl. C23C 14/14 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种Ag-Cu-Al合金薄膜及其制备方法 (57)摘要 发明公开了一种Ag‑Cu‑Al合金薄膜及其制 备方法,按原子含量百分比计,Cu为4‑28%,Al为 3‑18.3%,其余为Ag ;采用磁控溅射共溅射的方 法制备Ag‑Cu‑Al合金薄膜,所得薄膜成分均匀, 组织致密,在磁控溅射共溅射通过控制沉积功率 来调整Ag‑Cu‑Al合金薄膜中Cu和Al的含量,使合 金薄膜的微观组织形成纳米晶、超细纳米晶或晶 体‑非晶双相纳米结构,Cu和Al的合金化可以有 效提高Ag合金薄膜的力学性能,其强化效果随着 Cu和Al的含量的升高而提升。 A 9 3 9 7 6 4 7 1 1 N C CN 117467939 A 权 利

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