一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113391470 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110799089.2 (22)申请日 2021.07.15 (71)申请人 中国人民解放军国防科技大学 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路 109号 (72)发明人 陈谦　易木俣　王朗宁　荀涛　 张军　 (74)专利代理机构 北京盛询知识产权代理有限 公司 11901 代理人 陈巍 (51)Int.Cl. G02F 1/01 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构 (57)摘要 本发明涉及光导器件领域，特别是一种改善 SiC光导器件量子效率的器件结构，包括SiC衬 底，所述SiC衬底上下表面设有透明电极，两个所 述透明电极外表面设有DBR反射层；所述DBR反射 层包括若干高折射率层和若干低折射率层，若干 所述高折射率层、若干所述低折射率层交错设 置，所述DBR反射层最上层和最下层为高折射率 层。本发明能够增强光导器件对外界光激发的响 应能力。 A 0 7 4 1 9 3 3 1 1 N C CN 113391470 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种改善SiC光导器件量子效率的器件结构，其特征在于