一种具有取向双峰结构的原位自生石墨烯/铜复合材料及其制备方法2025
- 申请专利号:CN202311536178.3
- 公开(公告)日:2025-05-06
- 公开(公告)号:CN117604318A
- 申请人:哈尔滨工业大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117604318 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311536178.3 (22)申请日 2023.11.17 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 王黎东 邢昌盛 武耘仲 双家旭 费维栋 (74)专利代理机构 哈尔滨市阳光惠远知识产权 代理有限公司 23211 专利代理师 张金珠 (51)Int.Cl. C22C 9/00 (2006.01) C22C 1/05 (2023.01) B22F 1/16 (2022.01) B22F 3/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种具有取向双峰结构的原位自生石墨烯/ 铜复合材料及其制备方法 (57)摘要 一种具有取向双峰结构的原位自生石墨烯/ 铜复合材料及其制备方法,属于铜基复合材料技 术领域。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合 材料强度,塑性和导电性能不协调的问题。本发 明以树枝状铜粉和/或球状铜粉,和有机物为主 要原料,在热处理和烧结过程中,通过将铜粉表 面的有机物转化为石墨烯后限制晶粒长大,保留 铜粉表面细小的铜颗粒(凸起晶粒结构) ,实现石 墨烯对不同粒径铜粉的分隔,然后通过轧制和挤 压变形等工艺获得取向双峰结构。本发明可以通 过改变石
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