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发明

一种身管内膛双冶金结合的Cr/Ta双层涂层制备方法

2023-06-27 09:32:06 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202310113328.3
  • 公开（公告）日：2025-02-14
  • 公开（公告）号：CN116288158A
  • 申请人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明公开了一种身管内膛双冶金结合的Cr/Ta双层涂层制备方法，属于涂层制备科学领域。该方法先采用离子镀沉积两次Cr打底层，第一次沉积弧电流80～150A，基体负偏压‑600～‑1000V，沉积10～30min。第二次沉积基体负偏压调为‑80～‑200V，沉积30～120min。然后采用高功率脉冲磁控溅射沉积两次Ta表面层，第一次沉积靶材放电电压400～800V，脉冲宽度30～100μs，峰值电流200～800A，基体负偏压‑800～‑1000V，沉积10～120min；第二次沉积基体负偏压调为‑20～‑200V，沉积60～480min。该方法得到双界面冶金结合涂层，无需后续热处理。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288158 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310113328.3 (22)申请日 2023.02.15 (71)申请人 中国科学院金属研究所 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路 72号 (72)发明人 牛云松　朱圣龙　 (74)专利代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限 公司 21002 专利代理师 于晓波 (51)Int.Cl. C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种身管内膛双冶金结合的Cr/Ta双层涂层 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种身管内膛双冶金结合的 Cr/Ta双层涂层制备方法，属于涂层制备科学领 域。该方法先采用离子镀沉积两次Cr打底层，第 一次沉积弧电流80～150A，基体负偏压‑600～‑ 1000V，沉积10～30min。第二次沉积基体负偏压 调为‑80～‑200V，沉积30～120min。然后采用高 功率脉冲磁控溅射沉积两次Ta表面层，第一次沉 积靶材放电电压400～800V，脉冲宽度30～100μ s，峰值电流200～800A，基体负偏压‑800～‑

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