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发明

提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法2024

2024-03-02 07:54:23 发布于四川 7
  • 申请专利号：CN202311428545.8
  • 公开（公告）日：2024-05-28
  • 公开（公告）号：CN117614432A
  • 申请人：南京邮电大学|||南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要：本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器；负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金属，其第二输出端连接背栅金属。本发明具有独立的背栅电极，通过在衍生的背栅电极上施加偏置，诱导界面电荷，调制外延层的电场分布，增加体内漏电端的电场，使其提高击穿电压，又因其漂移区采用重掺杂而具有低的比导通电阻，改进了两者之间的折中关系。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117614432 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311428545.8 (22)申请日 2023.10.30 (71)申请人 南京邮电大学 地址 226000 江苏省南通市崇川区新康路 33号云院9、10幢 申请人 南京邮电大学南通研究院有限公司 (72)发明人 李曼　刘安琪　郭宇锋　姚佳飞　 张珺　杨可萌　陈静　张茂林　 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 专利代理师 孟丽娜 (51)Int.Cl. H03K 17/687 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及 体硅LDMOS的制造方法 (57)摘要 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动 态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系 统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动 态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生 器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器； 负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出 端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入 端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端 并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金 属，其第二输出端

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