一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116260441 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202310082375.6 (22)申请日 2023.01.16 (71)申请人 中国电子科技集团公司第二十九研 究所 地址 610036 四川省成都市金牛区营康西 路496号 (72)发明人 刘云刚　韩思扬　卢子焱　王海龙　 (74)专利代理机构 成都九鼎天元知识产权代理 有限公司 51214 专利代理师 管高峰 (51)Int.Cl. H03K 17/51 (2006.01) H03K 17/00 (2006.01) H03K 19/0175 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片 (57)摘要 本发明公开了一种新型高隔离低插损开关 矩阵芯片，包括设置于砷化镓PHEMT半导体电路 层上的开关矩阵电路，所述开关矩阵电路包括m 个输入端、m个开关结构、垂直过渡结构、n个功分 器、n个输出端，所述垂直过渡结构设置为共面波 导的结构形式，所述输入端电连接所述开关结构 的信号输入端，所述开关结构的信号输出端电连 接所述垂直过渡结构和所述功分器的信号输入 端，所述垂直过渡结构的信号输出端电连接所述 功分器的信号输入端，所述功分器的信号输出端 电连接所述输出端。采