发明

仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法2023

2023-10-01 07:10:52 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211022991.4
  • 公开(公告)日:2023-09-29
  • 公开(公告)号:CN116809363A
  • 申请人:上海交通大学
摘要:本发明提供一种仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其制备方法,包括由下至上依次设置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层和第二硅层;其中:第一硅层上设有多个阵列单元,阵列单元之间通过沟槽隔开,沟槽贯穿压电层和第二电极层,第二电极层通过沟槽被划分为多个第二电极层单元;第二硅层包括多个呈台阶状的凸起结构,凸起结构分别位于第二电极层单元上;凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和下层第二硅层,上层第二硅层远离第二电极层单元;上层第二硅层的面积小于下层第二硅层的面积。本发明实现了仿郎之万振子的d33振动模态,本发明的压电MEMS超声换能器可以用于心内血管成像、指纹识别等小尺寸高精度的场合。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116809363 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202211022991.4 (22)申请日 2022.08.25 (71)申请人 上海交通大学 地址 200240 上海市闵行区东川路800号 (72)发明人 刘景全 阮涛 王淇 徐庆达  (74)专利代理机构 上海恒慧知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31317 专利代理师 徐红银 禹雪平 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 仿郎之万振子的压电MEMS超声换能器及其 制备方法 (57)摘要 本发明提供一种仿郎之万振子的压电MEMS 超声换能器及其制备方法,包括由下至上依次设 置的第一硅层、第一电极层、压电层、第二电极层 和第二硅层;其中 :第一硅层上设有多个阵列单 元,阵列单元之间通过沟槽隔开,沟槽贯穿压电 层和第二电极层,第二电极层通过沟槽被划分为 多个第二电极层单元;第二硅层包括多个呈台阶 状的凸起结构,凸起结构分别位于第二电极层单 元上;凸起结构包括同轴设置的上层第二硅层和 下层第二硅层,上层第二硅层远离第二电极层单 元;上层第二硅层的面积小于下层第二硅层的面 A 积。本发明实现了仿郎之万振子的d 振动模态, 33 3 本发明的压电MEMS超声换能器可以用于心内血 6 3 9 管成像、指纹识别等小尺寸高精度