一种基于LCOS芯片的曝光装置及方法
- 申请专利号:CN202110350277.7
- 公开(公告)日:2025-01-17
- 公开(公告)号:CN112947011A
- 申请人:深圳光韵达光电科技股份有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112947011 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110350277.7 (22)申请日 2021.03.31 (71)申请人 深圳光韵达光电科技股份有限公司 地址 518000 广东省深圳市南山区高新区 北区朗山路13号清华紫光科技园C座1 层 (72)发明人 马建立 甘新昌 (74)专利代理机构 深圳新创友知识产权代理有 限公司 44223 代理人 王震宇 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) G02B 27/28 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种基于LCOS芯片的曝光装置及方法 (57)摘要 一种基于LCOS芯片的曝光装置及方法,该装 置包括光源、偏振分光棱镜、第一LCOS芯片、第二 LCOS芯片以及成像透镜,第一LCOS芯片中的第一 部分像素点将P偏振光中的一部分光调制成S偏 振光后反射回偏振分光棱镜,第二LCOS芯片中的 第一部分像素点将S偏振光中的一部分光调制成 P偏振光后反射回偏振分光棱镜,第一LCOS芯片 反射回来的S偏振光和第二LCOS芯片反射回来的 P偏振光分别经过偏振分光棱镜分光界面处,重 合后形成偏振合束,同轴传播进入成像透镜。由 此,本发明的曝光装置使得光源经过偏振分光棱 镜后得到的P偏振方向和S偏振方向的光均能够 A 得到有效的利用,提高了光源光功率
最新专利
- 一种高压多气氛辅助SLM梯度材料制备方法及铝锂合金涂层公开日期:2025-03-14公开号:CN117773145A申请号:CN202311794170.7一种高压多气氛辅助SLM梯度材料制备方法及铝锂合金涂层
- 发布时间:2024-03-31 07:37:200
- 申请号:CN202311794170.7
- 公开号:CN117773145A
- 纳米改性铝基复合材料流变压铸成型的制备设备和方法公开日期:2025-03-14公开号:CN117123755A申请号:CN202311136060.1纳米改性铝基复合材料流变压铸成型的制备设备和方法
- 发布时间:2023-12-02 07:19:370
- 申请号:CN202311136060.1
- 公开号:CN117123755A
- 一种超高产率银纳米线的制备方法公开日期:2025-03-14公开号:CN116213707A申请号:CN202310403605.4一种超高产率银纳米线的制备方法
- 发布时间:2023-06-11 11:49:410
- 申请号:CN202310403605.4
- 公开号:CN116213707A
- 一种定量多工位多流道自动浇注机公开日期:2025-03-14公开号:CN116174692A申请号:CN202310226659.8一种定量多工位多流道自动浇注机
- 发布时间:2023-06-02 12:57:080
- 申请号:CN202310226659.8
- 公开号:CN116174692A
- 一种医用多孔钛合金植入体的制备方法公开日期:2025-03-14公开号:CN116174743A申请号:CN202310206608.9一种医用多孔钛合金植入体的制备方法
- 发布时间:2023-06-02 12:56:260
- 申请号:CN202310206608.9
- 公开号:CN116174743A
- 一种自动铸焊装置公开日期:2025-03-14公开号:CN116140590A申请号:CN202310214916.6一种自动铸焊装置
- 发布时间:2023-05-28 11:49:530
- 申请号:CN202310214916.6
- 公开号:CN116140590A