发明

一种形成界面冶金结合涂层的溅射方法

2023-05-15 10:50:59 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310113331.5
  • 公开(公告)日:2025-02-14
  • 公开(公告)号:CN116103624A
  • 申请人:中国科学院金属研究所
摘要:本发明公开了一种形成界面冶金结合涂层的溅射方法,属于涂层制备技术领域。该溅射过程为两步,第一步溅射中:靶材放电电压为400~800V,脉冲宽度为30~100μs,峰值电流为100~300A,峰值电压为600~1000V,基体负偏压为‑800~‑1000V,占空比为50~60%;第二步溅射中:靶材放电电压为400~800V,脉冲宽度为30~100μs,峰值电流为100~300A,峰值电压为600~1000V,靶材成分为Ta或Cr,基体负偏压为‑20~‑200V,占空比为20~80%。本发明能够在涂层与基体之间直接发生元素互扩散,无需后续热处理即形成冶金结合,且组织致密、力学性能优异。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116103624 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202310113331.5 (22)申请日 2023.02.15 (71)申请人 中国科学院金属研究所 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路 72号 (72)发明人 牛云松 朱圣龙  (74)专利代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限 公司 21002 专利代理师 于晓波 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种形成界面冶金结合涂层的溅射方法 (57)摘要 本发明公开了一种形成界面冶金结合涂层 的溅射方法,属于涂层制备技术领域。该溅射过 程为两步,第一步溅射中:靶材放电电压为400~ 800V,脉冲宽度为30~100μs,峰值电流为100~ 300A,峰值电压为600~1000V,基体负偏压为‑ 800~‑1000V,占空比为50~60%;第二步溅射 中:靶材放电电压为400~800V,脉冲宽度为30~ 100 μs,峰值电流为100~300A,峰值电压为600 ~1000V,靶材成分为Ta或Cr,基体负偏压为‑20 ~‑200V,占空比为20~80%。本发明能够在涂层 与基体之间直接发生元素互扩散,无需后续热处 理即形成冶金结合,且组织致密、力学性能

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