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发明

一种高介电铝掺杂型钙钛矿结构高熵微波介质陶瓷及其制备方法2025

2023-12-17 07:56:22 发布于四川 8
  • 申请专利号：CN202311168651.7
  • 公开（公告）日：2025-04-29
  • 公开（公告）号：CN117229056A
  • 申请人：太原理工大学
摘要：本发明公开了一种高介电铝掺杂型钙钛矿结构高熵微波介质陶瓷及其制备方法，属于通信领域的陶瓷材料技术领域。所述高熵微波介质陶瓷的化学通式为(Zn1/6Ba1/6Ca1/6Sr1/6La1/3)Ti1‑xAlxO3，其中：x＝0‑0.1。本发明基于高熵的独特效应，首次将高熵概念引入钙钛矿结构微波介质陶瓷去尝试调控介电性能，通过控制烧结温度、反应时间及掺杂含量等工艺参数成功合成了铝掺杂型高熵微波介质陶瓷。其介电常数为74‑91，介电损耗为0.001‑0.002，谐振频率温度系数为175‑217ppm/℃，获得了优异的微波介电性能。本发明获得的高介电微波介质陶瓷，有望应用于移动终端和通信基站等。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117229056 A (43)申请公布日 2023.12.15 (21)申请号 202311168651.7 (22)申请日 2023.09.12 (71)申请人 太原理工大学 地址 030002 山西省太原市迎泽西大街79 号 (72)发明人 苗洋　苏腾　卫志洋　陈欢乐　 马超　高峰　 (74)专利代理机构 北京盛广信合知识产权代理 有限公司 16117 专利代理师 赵宇飞 (51)Int.Cl. C04B 35/50 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 一种高介电铝掺杂型钙钛矿结构高熵微波 介质陶瓷及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高介电铝掺杂型钙钛矿 结构高熵微波介质陶瓷及其制备方法，属于通信 领域的陶瓷材料技术领域。所述高熵微波介质陶 瓷的化学通式为(Zn Ba Ca Sr La )Ti 1/6 1/6 1/6 1/6 1/3 1‑ Al O ，其中：x＝0‑0.1。本发明基于高熵的独特 x x 3 效应，首次将高熵概念引入钙钛矿结构微波介质 陶瓷去尝试调控介电性能，通过控制烧结温度、 反应时间及掺杂含量等工艺参数成功合成了铝 掺杂型高熵微波介质陶瓷。其介电常数为74‑91， 介电损耗为0.001‑0.002，谐振频率温度系数为

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