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发明

高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法2025

2023-12-17 07:34:09 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202311055330.6
  • 公开（公告）日：2025-05-30
  • 公开（公告）号：CN117209281A
  • 申请人：西北工业大学
摘要：本发明涉及一种高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法，采用可控氧化包覆法制备SiC@SiO2微纳复合粉末，将SiC@SiO2微纳复合粉末与光敏树脂、碳源树脂和预聚物树脂和光引发剂和分散剂后得到碳化硅陶瓷浆料。将打印的SiC@SiO2陶瓷坯体采用两步烧结方法，得到碳化硅陶瓷。本发明成型的具有复杂结构的碳化硅坯体最小精度高达80μm，该数值与背景技术报道光固化碳化硅结构最小精度相比，提升至12.5倍。本发明的两步烧结方法，既消除或减少引入的SiO2包覆层，又保证了碳化硅精细复杂结构的间隙不被明显堵塞。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117209281 A (43)申请公布日 2023.12.12 (21)申请号 202311055330.6 (22)申请日 2023.08.22 (71)申请人 西北工业大学 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号 (72)发明人 梅辉　杨逗　成来飞　张立同　 (74)专利代理机构 西安凯多思知识产权代理事 务所(普通合伙) 61290 专利代理师 王鲜凯 (51)Int.Cl. C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) B33Y 70/10 (2020.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 高精度可光固化打印碳化硅陶瓷浆料及制 备方法、制备碳化硅陶瓷制品的方法 (57)摘要 本发明涉及一种高精度可光固化打印碳化 硅陶瓷浆料及制备方法、制备碳化硅陶瓷制品的 方法，采用可控氧化包覆法制备SiC@SiO 微纳复 2 合粉末，将SiC@SiO 微纳复合粉末与光敏树脂、 2 碳源树脂和预聚物树脂和光引发剂和分散剂后 得到碳化硅陶瓷浆料。将打印的SiC@SiO 陶瓷坯 2 体采用两步烧结方法，得到碳化硅陶瓷。本发明 成型的具有复杂结构的碳化硅坯体最小精度高 达80 μm ，该数值与

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