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发明

eMMC质量检测修复方法、装置及其存储介质

2023-05-28 12:24:14 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202011088371.1
  • 公开（公告）日：2024-12-03
  • 公开（公告）号：CN112289364A
  • 申请人：珠海全志科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种eMMC质量检测修复方法、装置及存储介质，其中该方法包括：读取eMMC芯片的协议版本信息及生产日期，非失真寄存器及只读信息，获取所述eMMC芯片的第一质量状态；读取所述eMMC芯片的数据存储区，判断是否全为默认值，提取分区特征，获取所述eMMC芯片的第二质量状态；对所述eMMC芯片进行读取擦除性能检测，获取所述eMMC芯片的第三质量状态；根据第一质量状态、第二质量状态及第三质量状态生成所述eMMC芯片的质量评估结果；根据所述质量评估结果，对所述非失真寄存器开启的功能进行关闭，通过擦除命令修复数据存储区，并对读写性能进行修复。简要描述技术效果。本发明通过多种方式检测，检测修复的覆盖面广，准确率高，贴近用户实际使用需求。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289364 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202011088371.1 (22)申请日 2020.10.13 (71)申请人 珠海全志科技股份有限公司 地址 519000 广东省珠海市高新区唐家湾 镇科技二路9号 (72)发明人 李想　黎彪　 (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 44205 代理人 尹凡华 (51)Int.Cl. G11C 29/12 (2006.01) G11C 29/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 eMMC质量检测修复方法、装置及其存储介质 (57)摘要 本发明公开了一种eMMC质量检测修复方法、 装置及存储介质，其中该方法包括：读取eMMC芯 片的协议版本信息及生产日期，非失真寄存器及 只读信息，获取所述eMMC芯片的第一质量状态； 读取所述eMMC芯片的数据存储区，判断是否全为 默认值，提取分区特征，获取所述eMMC芯片的第 二质量状态；对所述eMMC芯片进行读取擦除性能 检测，获取所述eMMC芯片的第三质量状态；根据 第一质量状态、第二质量状态及第三质量状态生 成所述eMMC芯片的质量评估结果；根据所述质量 评估结果，对所述非失真寄存器开启的功能进行 关闭，通过擦除命令修复数据存储区，并对读写 A 性能进行修复。简要描述技术效果。本发明通过 4 多种方式检测，检测修复的

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