用于半导体存储器的输入数据预对齐电路
- 申请专利号:CN202310334729.1
- 公开(公告)日:2025-08-12
- 公开(公告)号:CN116469429A
- 申请人:福建省晋华集成电路有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116469429 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310334729.1 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司 地址 362200 福建省泉州市晋江市集成电 路科学园联华大道88号 (72)发明人 朴珉皓 (74)专利代理机构 北京聿宏知识产权代理有限 公司 11372 专利代理师 郑哲琦 吴昊 (51)Int.Cl. G11C 7/10 (2006.01) G11C 7/22 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 用于半导体存储器的输入数据预对齐电路 (57)摘要 本发明实施例提供了一种用于半导体存储 器的输入数据预对齐电路。输入数据预对齐电路 包括第一放大器、第二放大器、时脉控制单元、回 授信号产生器以及信号对齐单元。第一放大器用 以接收并放大数据信号以及参考信号。第二放大 器耦接于第一放大器的第一输出端及第一放大 器的第二输出端。时脉控制单元用以接收成对的 时脉信号。回授信号产生器耦接于第二放大器及 时脉控制单元。信号对齐单元耦接于第一放大器 的第二输入端、第一放大器的第一输出端、第一 放大器的第二输出端及回授信号产生器。利用本 发明的输入数据预对齐电路,可以调整动态随机 A 存取存储器在高速执行下的信号偏移,以及能实 9 现先进先出(FIFO)信号对齐功能。 2 4 9 6
原创力.专利