发明

一种核电池结构及其制备方法

2023-04-24 09:57:52 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202111263270.8
  • 公开(公告)日:2025-02-28
  • 公开(公告)号:CN114023482A
  • 申请人:无锡华普微电子有限公司
摘要:本发明涉及核电池技术领域,具体公开了一种核电池结构,其中,包括:第一核电池芯片、第二核电池芯片以及位于第一核电池芯片和第二核电池芯片中间的放射性同位素源层,第一核电池芯片和第二核电池芯片均包括第一导电类型衬底、在第一导电类型衬底上依次设置的第一导电类型外延层、第一掺杂浓度的第二导电类型外延层、第二掺杂浓度的第二导电类型外延层、第二导电类型欧姆接触层和金属键合层,放射性同位素源层分别与第一核电池芯片的金属键合层以及第二核电池芯片的金属键合层接触,第一导电类型衬底背离放射性同位素源层的一面均设置第一导电类型欧姆接触层。本发明还公开了一种核电池的制备方法。本发明提供的核电池结构能够提高能量转换效率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023482 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111263270.8 (22)申请日 2021.10.28 (71)申请人 无锡华普微电子有限公司 地址 214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大 道202号 (72)发明人 郭凤丽 张玲玲  (74)专利代理机构 无锡市大为专利商标事务所 (普通合伙) 32104 代理人 殷红梅 陈丽丽 (51)Int.Cl. G21H 1/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种核电池结构及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及核电池技术领域,具体公开了一 种核电池结构,其中,包括:第一核电池芯片、第 二核电池芯片以及位于第一核电池芯片和第二 核电池芯片中间的放射性同位素源层,第一核电 池芯片和第二核电池芯片均包括第一导电类型 衬底、在第一导电类型衬底上依次设置的第一导 电类型外延层、第一掺杂浓度的第二导电类型外 延层、第二掺杂浓度的第二导电类型外延层、第 二导电类型欧姆接触层和金属键合层,放射性同 位素源层分别与第一核电池芯片的金属键合层 以及第二核电池芯片的金属键合层接触,第一导 电类型衬底背离放射性同位素源层的一面均设 A 置第一导电类型欧姆接触层。本发明还公开了一 2 种核电池的制备方法。本发明提供的核电池结构 8 4 3 能够提高能量转换效率。 2 0 4 1 1

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