一种高阶曲率补偿的带隙基准电路

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114995571 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210683727.9 (22)申请日 2022.06.16 (71)申请人 上海泰矽微电子有限公司 地址 201203 上海市浦东新区纳贤路800号 1幢A座6楼602-A室 (72)发明人 宋宇　陈立新　熊海峰　 (74)专利代理机构 上海双诚知识产权代理事务 所(普通合伙) 31423 专利代理师 方玉 (51)Int.Cl. G05F 1/567 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种高阶曲率补偿的带隙基准电路 (57)摘要 本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基 准电路，包括PTAT电流产生电路、高阶零温电流 产生电路和高阶带隙基准产生电路；所述PTAT电 流产生电路输出与绝对温度成正比的电流IPTAT 和偏置于PTAT电流的电压VBE；所述高阶带隙基 准产生电路包括：PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管 P4、NMOS管NZ1、NMOS管NZ2、放大器U2、OP2电路、 放大器U3、OP3电路、电阻Rf1、电阻Rf2、电阻Rf3、 电阻Rf4、电阻R301、电阻R302、电阻R4、电阻R5、 电阻R6、三极管Q3和三极管Q4；所述高阶零温电 流产生电路包括：PMOS管P1、电阻R2、放大器U1和 op1电路；本发明实现了温度系数小于2ppm/℃的 A 带隙基准电路。 1 7 5 5