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发明

一种带氧化锆ZrO2插层的铈铪氧Hf1-xCexO2薄膜、制备方法及应用

2023-08-03 07:12:55 发布于四川 11
  • 申请专利号：CN202310305928.X
  • 公开（公告）日：2025-04-08
  • 公开（公告）号：CN116514157A
  • 申请人：北京科技大学
摘要：本发明涉及一种带氧化锆ZrO2插层的铈铪氧Hf1‑xCexO2薄膜、制备方法及应用，方法包括：制备Hf1‑xCexO2(HCO)溶胶和ZrO2溶胶；将所述HCO溶胶和ZrO2溶胶按照不同次序旋涂于基板上，得到湿膜；对湿膜进行热解以及最后的退火结晶处理，得到带氧化锆插层的铈铪氧Hf1‑xCexO2薄膜。本发明通过在HCO薄膜中引入高介电ZrO2插层，并调整插层位置得到不同ZrO2‑HCO叠层的高性能的薄膜。本发明相较于现有技术，在重掺Si基板上所制得的薄膜的铁电性能和/或漏电性能有了显著的提高；在柔性云母基板上，ZrO2插层的加入同样能够显著改善薄膜的铁电性能；且本发明的制备方法简单，加入的元素含量灵活可控，薄膜制备的成功率高，可重复性好，适合批量化生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116514157 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310305928.X (22)申请日 2023.03.27 (71)申请人 北京科技大学 地址 100083 北京市海淀区学院路30号 (72)发明人 詹倩　卞振旭　陈鹏　尔晓阔　 (74)专利代理机构 北京金智普华知识产权代理 有限公司 11401 专利代理师 朱艳华 (51)Int.Cl. C01F 17/32 (2020.01) C01G 27/02 (2006.01) C01G 25/02 (2006.01) H10B 53/30 (2023.01) H10B 51/30 (2023.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图2页 (54)发明名称 一种带氧化锆ZrO 插层的铈铪氧Hf Ce O 2 1-x x 2 薄膜、制备方法及应用 (57)摘要 本发明涉及一种带氧化锆ZrO 插层的铈铪 2 氧Hf Ce O 薄膜、制备方法及应用，方法包括 ： 1‑x x 2 制备Hf Ce O (HCO)溶胶和ZrO 溶胶；将所述HCO 1‑x x 2 2 溶胶和Z

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