发明

用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法2025

2023-11-16 07:22:57 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311010709.5
  • 公开(公告)日:2025-07-18
  • 公开(公告)号:CN117021381A
  • 申请人:沃孚半导体公司
摘要:本发明提供了用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法。公开了碳化硅(SiC)晶片(8A)和相关方法,其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片(8A)形状。故意或强加的晶片(8A)形状可以包括具有相对于其硅面的松弛正弯的SiC晶片(8A)。以这种方式,可以降低与SiC晶片(8A),并且具体地大面积SiC晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的影响。公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片(8A)的相关方法,所述方法提供了减小的块状晶体材料(70、90、92A、92)的切割损失。这些方法可以包括SiC(6H)晶片(8A)与块状晶体材料(70、90、92A、92)的激光辅助分离。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117021381 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311010709.5 (51)Int.Cl . B28D 5/00 (2006.01) (22)申请日 2020.03.13 H01L 29/16 (2006.01) (30)优先权数据 16/415,721 2019.05.17 US 16/784,311 2020.02.07 US (62)分案原申请数据 202080036469.4 2020.03.13 (71)申请人 沃孚半导体公司 地址 美国北卡罗来纳州 (72)发明人 西蒙 ·布贝尔 马修 ·多诺弗里奥  约翰 ·埃德蒙 伊恩 ·柯里尔  (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 专利代理师 张晓影 权利要求书1页 说明书17页 附图14页 (54)发明名称 用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方 法 (57)摘要 本发明提供了用于处理具有松弛正弯的碳 化硅晶片的方法。公开了碳化硅 (SiC)晶片(8A) 和相关方法,其包括配置以减少与由于重力或先 前存在的结晶应力所造成的这些晶片(8A)的变 形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意

最新专利