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发明

基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置及其使用方法

2023-05-17 10:18:19 发布于四川 12
  • 申请专利号：CN202310002820.3
  • 公开（公告）日：2025-05-27
  • 公开（公告）号：CN116002076A
  • 申请人：燕山大学
摘要：本发明提供一种基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置，在伸展组件中，包括控温半导体层、形状记忆合金层和形状记忆聚合物层，控温半导体层位于形状记忆合金层和形状记忆聚合物层之间。控温半导体层，包括制冷半导体晶粒、柔性隔热材料、铜片和柔性导热材料，制冷半导体晶粒成对存在，相邻的制冷半导体晶粒之间设有柔性隔热材料，位于制冷半导体晶粒两端的铜片分别通过柔性导热材料与形状记忆合金层和形状记忆聚合物层的贴合面连接。本发明通过改变制冷半导体晶粒的电流方向分别控制形状记忆合金层或者形状记忆聚合物层的温度，实现伸展组件的重复可控形变，易于实现自锁定与自展开功能，具有展开冲击小和刚度大的优点。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116002076 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202310002820.3 B32B 15/18 (2006.01) B32B 15/00 (2006.01) (22)申请日 2023.01.03 B32B 15/04 (2006.01) (71)申请人 燕山大学 B32B 33/00 (2006.01) 地址 066004 河北省秦皇岛市河北大街西 B32B 15/092 (2006.01) 段438号 B32B 15/08 (2006.01) (72)发明人 郭保苏　丁世琛　张永　吴凤和　 B32B 27/38 (2006.01) 温银堂　张玉燕　 B32B 27/28 (2006.01) B32B 3/06 (2006.01) (74)专利代理机构 北京孚睿湾知识产权代理事 B32B 3/08

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