一种二氯硅烷浓度控制方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117049548 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311177382.0 (22)申请日 2023.09.13 (71)申请人 四川永祥多晶硅有限公司 地址 614000 四川省乐山市五通桥区竹根 镇永祥路100号 (72)发明人 余涛　刘逸枫　钟国俊　袁野　 (74)专利代理机构 成都天嘉知识产权代理有限 公司 51211 专利代理师 青春 (51)Int.Cl. C01B 33/027 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种二氯硅烷浓度控制方法 (57)摘要 本发明公开了一种二氯硅烷浓度控制方法， 涉及多晶硅生产技术领域，本发明运用在三氯硅 烷精制工艺中，首先在三氯硅烷精制工艺运行工 况下，计算其回收精馏工艺中除轻塔Ⅲ塔釜的二 氯硅烷实际浓度Ⅰ；其次在现有还原负荷及三氯 硅烷产品Ⅰ负荷下，设定三氯硅烷产品Ⅲ需求浓 度，并根据需求浓度计算回收精馏工艺中除轻塔 Ⅲ塔釜的二氯硅烷控制浓度Ⅱ；最后计算二氯硅 烷实际浓度Ⅰ和二氯硅烷控制浓度Ⅱ的浓度差， 并根据浓度差对回收精馏工艺中的除轻塔Ⅲ进 行调整，稳定控制三氯硅烷中间品和三氯硅烷产 品Ⅲ中的二氯硅烷浓度，避免了三氯硅烷产品Ⅲ A 中的二氯硅烷浓度波动大影响三氯硅烷产品Ⅲ 8 的生产。 4 5 9 4 0 7 1 1 N C CN 117049548 A