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发明

大尺寸单分散性PbS半导体量子点的一步式合成方法2025

2024-03-29 07:19:34 发布于四川 16
  • 申请专利号：CN202311505753.3
  • 公开（公告）日：2025-08-12
  • 公开（公告）号：CN117756170A
  • 申请人：昆明物理研究所
摘要：大尺寸单分散性PbS半导体量子点（CQDs）的一步式合成方法，涉及量子点的合成领域。采用以硫(S)为原料制备的硫前驱体与氧化铅(PbO)为原料制备的铅前驱体组合，通过工艺参数调控，获得了不同大尺寸（直径:7.53‑9.89 nm）PbS CQDs材料，实现了PbS CQDs在短波红外范围内激子峰位（1.7‑2.0μm）的可控制备。相比于经典热注入法、多次热注入法、阳离子交换法等量子点合成工艺，本发明的优点在于：原料毒性低、制备工艺简单、工艺重复性好、通过工艺参数调控可实现大尺寸PbS CQDs的可控合成、晶粒尺寸分布较为均匀，并且批次间一致性较好。本发明所制备的PbS CQDs量子点材料可应用于短波红外光电探测器、太阳能电池等领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117756170 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311505753.3 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.11.13 (71)申请人 昆明物理研究所 地址 650000 云南省昆明市五华区教场东 路31号 (72)发明人 宋立媛　唐利斌　毕一凡　冯恒豪　 周允红　朱亚安　 (74)专利代理机构 昆明祥和知识产权代理有限 公司 53114 专利代理师 和琳 (51)Int.Cl. C01G 21/21 (2006.01) C09K 11/66 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 大尺寸单分散性PbS半导体量子点的一步式 合成方法 (57)摘要 大尺寸单分散性PbS半导体量子点（CQDs）的 一步式合成方法，涉及量子点的合成领域。采用 以硫(S)为原料制备的硫前驱体与氧化铅(PbO) 为原料制备的铅前驱体组合，通过工艺参数调 控，获得了不同大尺寸（直径:7.53‑9.89 nm）PbS  CQDs材料，实现了PbS CQDs在短波红外范围内激 子峰位（1.7‑2.0 μm）的可控制备。相比于经典热 注入法、多次热注入法、阳离

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