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显影处理方法和显影处理装置

2023-06-02 12:08:09 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202010849612.3
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN112445086A
  • 申请人:东京毅力科创株式会社
摘要:涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理,包括:工序(A),向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影,形成抗蚀图案;工序(B),向显影后的前述基板供给水系清洗液,用该水系清洗液对该基板进行清洗;工序(C),在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液,在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性层;和,工序(D),对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗,前述工序(B)包括使前述基板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速的工序(b),前述工序(b)中的减速度小于前述工序(a)中的加速度。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112445086 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010849612.3 (22)申请日 2020.08.21 (30)优先权数据 2019-159472 2019.09.02 JP (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 甲斐亚希子 一之宫博  (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇 李茂家 (51)Int.Cl. G03F 7/30 (2006.01) G03F 7/42 (2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图7页 (54)发明名称 显影处理方法和显影处理装置 (57)摘要 涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形 成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处 理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理,包括: 工序(A),向前述基板供给显影液以使前述抗蚀 膜进行显影,形成抗蚀图案;工序(B),向显影后 的前述基板供给水系清洗液,用该水系清洗液对 该基板进行清洗;工序(C),在用前述水系清洗液 清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶 液,在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性 层;和,工序(D),对形成有前述亲水性层的基板 用冲洗液进行清洗,前述工序(B)包括使前述基 板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直 A 至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速 6

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