PCT发明

用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物

2023-04-24 09:42:15 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202080043573.6
  • 公开(公告)日:2025-04-25
  • 公开(公告)号:CN114008537A
  • 申请人:富士胶片电子材料美国有限公司
摘要:本公开涉及组合物,其包括:1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂;2)至少一种氢氧化季铵;3)至少一种羧酸;4)至少一种第II族金属阳离子;5)至少一种选自于由6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂;及6)水,其中,该组合物不含包含至少三个羟基的化合物。该组合物可有效地剥离半导体基板上的正或负调性光刻胶或光刻胶残余物,且对凸块及在下面的金属化材料(诸如,SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等)不具腐蚀性。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114008537 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202080043573.6 (74)专利代理机构 北京博思佳知识产权代理有 限公司 11415 (22)申请日 2020.04.16 代理人 艾佳 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/837,776 2019.04.24 US G03F 7/32 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C11D 11/00 (2006.01) 2021.12.14 C11D 3/30 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2020/028473 2020.04.16 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/219334 EN 2020.10.29 (71)申请人 富士胶片电子材料美国有限公司 地址 美国罗得岛州 (72)发明人 水谷笃史 

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