一种均匀化烧蚀单晶金刚石的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116121878 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310163273.7 C23C 14/02 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01) (22)申请日 2023.02.22 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 许剑锋　刘念　雷凌　张建国　 肖峻峰　 (74)专利代理机构 武汉华之喻知识产权代理有 限公司 42267 专利代理师 张彩锦　曹葆青 (51)Int.Cl. C30B 33/00 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 一种均匀化烧蚀单晶金刚石的方法 (57)摘要 本发明属于超精密加工领域，并公开了一种 均匀化烧蚀单晶金刚石的方法，方法的具体步骤 包括：在清洁后的单晶金刚石表面离子镀特定厚 度的金属薄膜；利用纳秒脉冲激光对金属薄膜进 行烧蚀，当金属薄膜被完全烧蚀后，继续烧蚀，直 至所述单晶金刚石上生成石墨层。本发明能够通 过在金刚石表