一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法2025
- 申请专利号:CN202311157474.2
- 公开(公告)日:2025-06-13
- 公开(公告)号:CN117185810A
- 申请人:聚合电光(杭州)科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117185810 A (43)申请公布日 2023.12.08 (21)申请号 202311157474.2 (22)申请日 2023.09.08 (71)申请人 聚合电光(杭州)科技有限公司 地址 310024 浙江省杭州市云栖小镇海思 科创园 (72)发明人 韩瑜 (74)专利代理机构 北京盛询知识产权代理有限 公司 11901 专利代理师 黄旸洋 (51)Int.Cl. C04B 35/491 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜的制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种高质量锆钛酸铅晶体薄膜 的制备方法,涉及功能材料技术领域。本发明制 备过程包括以下步骤:将铅源与溶剂混合,加热 反应后冷却,之后加入锆源和钛源进行反应,得 到PZT前驱体溶液;以镧系物质为靶材,利用磁控 溅射法制备种子层;之后将PZT前驱体溶液涂覆 于种子层表面,经热解、退火处理后得到锆钛酸 铅晶体薄膜。本发明通过溶胶‑凝胶法制备出稳 定的PZT前驱体溶液,并利用种子层制备出光滑 无裂痕、具有(100)择优取向的高质量PZT晶体薄 膜,具有制备工艺简单、
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