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发明

一种钠离子正极材料及其制备方法和应用2025

2024-04-07 07:23:12 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202311563286.X
  • 公开（公告）日：2025-07-15
  • 公开（公告）号：CN117832472A
  • 申请人：上海恩捷新材料科技有限公司
摘要：本发明公开了一种钠离子正极材料及其制备方法和应用。本发明的钠离子正极材料为O3型的镍锰基层状过渡金属氧化物；所述钠离子正极材料的XRD晶面衍射强度比值I(003)/I(104)≥1.2。本发明通过调控钠离子正极材料的XRD晶面衍射强度比值I(003)/I(104)，可有效改善其晶体结构的完整性和稳定性，从而保持良好的层状结构以促进钠离子的脱出与嵌入，进而提高钠离子正极材料的倍率性能和循环稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117832472 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311563286.X H01M 10/054 (2010.01) C01G 53/00 (2006.01) (22)申请日 2023.11.21 (71)申请人 上海恩捷新材料科技有限公司 地址 201399 上海市浦东新区南芦公路155 号 (72)发明人 郑田瑞　虞少波　邓城　吴惠康　 袁远　卢鹏　郭凯强　金雅杰　 庄志　程跃　 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限 公司 44102 专利代理师 陈争 (51)Int.Cl. H01M 4/505 (2010.01) H01M 4/525 (2010.01) H01M 4/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图3页 (54)发明名称 一种钠离子正极材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种钠离子正极材料及其制 备方法和应用。本发明的钠离子正极材料为O3型 的镍锰基层状过渡金属氧化物；所述钠离子正极 材料的XRD晶面衍射强度比值I (003)/I(104)≥ 1.2。本发明通过调控钠离子正极材料的XRD晶面 衍射强度比值I (003)/I(104)，可有

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