发明

一种磁控溅射托盘的整平方法

2023-06-15 07:08:03 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202310249182.5
  • 公开(公告)日:2025-03-25
  • 公开(公告)号:CN116254512A
  • 申请人:宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要:本发明涉及一种磁控溅射托盘的整平方法,所述整平方法包括:将变形的磁控溅射托盘与保护垫装配后依次进行第一热压处理、第二热压处理、第三热压处理和冷却;所述第一热压处理为恒温恒压过程;所述第二热压处理为变温恒压过程,升温速率为2‑5℃/min;所述第三热压处理为恒温变压过程,降压速率为10‑20N/min。本发明提供的整平方法,通过对整平工艺的设计,实现了对磁控溅射托盘的高效整平,整平后的平面度可以达到原始水平,同时使用寿命较原始磁控溅射托盘有进一步地提升。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116254512 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202310249182.5 (22)申请日 2023.03.15 (71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司 地址 315400 浙江省宁波市余姚市经济开 发区名邦科技工业园区安山路 (72)发明人 姚力军 潘杰 王学泽 章泽鑫  (74)专利代理机构 北京远智汇知识产权代理有 限公司 11659 专利代理师 徐浩 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) B21D 1/00 (2006.01) B21D 37/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 (54)发明名称 一种磁控溅射托盘的整平方法 (57)摘要 本发明涉及一种磁控溅射托盘的整平方法, 所述整平方法包括:将变形的磁控溅射托盘与保 护垫装配后依次进行第一热压处理、第二热压处 理、第三热压处理和冷却;所述第一热压处理为 恒温恒压过程;所述第二热压处理为变温恒压过 程,升温速率为2‑5℃/min;所述第三热压处理为 恒温变压过程,降压速率为10‑20N/min。本发明 提供的整平方法,通过对整平工艺的设计,实现 了对磁控溅射托盘的高效整平,整平后的平面度 可以达到原始水平,同时使用寿命较原始磁控溅 射托盘有进一步地提升。 A 2 1 5 4 5 2 6 1 1 N C CN 116254512

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