一种大功率集成电路半导体或模块的主动调温封装方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451154 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110816846.2 (22)申请日 2021.07.20 (71)申请人 鑫金微半导体（深圳）有限公司 地址 518125 广东省深圳市宝安区新桥新 二东环路438号工业园综合楼3楼 (72)发明人 夏乾华　 (51)Int.Cl. H01L 21/50 (2006.01) H01L 23/38 (2006.01) H01L 23/367 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种大功率集成电路半导体或模块的主动 调温封装方法 (57)摘要 本发明提供一种大功率集成电路半导体或 模块的主动降温设计封装方法。通过大功率发热 量大的晶圆放置在含有高导热性能的复合封装 外壳或框架上，该复合封装外壳或框架含有半导 体制冷片，此方法可以降低大功率半导体集成电 路或模块的工作温度的,提高产品的可靠性。 A 4 5 1 1 5 4 3 1 1 N C CN 113451154 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.在一种大功率集成电路半导体或模块的主动调温封装方法,其特征在于， 大功率发热量大的晶圆放置在含有高导热性能的复合封装外壳或框架上，该复合封装 外壳或框架含有半导体制冷片。 2.根据权利要求1，一种大功率