一种基于Cu-DBC导电金属有机框架薄膜的化学电阻型气体传感器及其应用
- 申请专利号:CN202310525705.4
- 公开(公告)日:2023-08-04
- 公开(公告)号:CN116539675A
- 申请人:天津理工大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116539675 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202310525705.4 (22)申请日 2023.05.11 (71)申请人 天津理工大学 地址 300384 天津市西青区宾水西道391号 天津理工大学主校区 (72)发明人 王铁 任岩 刘婧娟 (51)Int.Cl. G01N 27/12 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种基于Cu-DBC导电金属有机框架薄膜的 化学电阻型气体传感器及其应用 (57)摘要 本发明公开了一种Cu‑DBC导电金属有机框 架薄膜用于制备化学电阻型气体传感器的方法, 具体实验步骤为:首先将石英玻璃基底进行亲水 修饰,然后使用层层自组装的方法在固液界面生 长不同厚度的Cu‑DBC薄膜,最后使用叉指电极模 板将Cu‑DBC薄膜作为敏感材料构筑了化学电阻 型气体传感器并用于硫化氢气体传感。层层自组 装法生长的薄膜具有非常好的导电性能,当硫化 氢气体接触到Cu‑DBC薄膜表面后,其电阻会发生 变化并被仪器检测到 ,从而获得传感器的灵敏 度。本发明的气体传感器在室温下对硫化氢具有 A 很高的响应度并有一定的选择性。 5 7 6 9 3 5 6 1 1 N C CN 116539675 A 权 利 要 求 书
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