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发明

一种考虑频率耦合效应的逆变器三阶导纳建模方法2025

2024-04-11 07:26:33 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202311806496.7
  • 公开（公告）日：2025-01-07
  • 公开（公告）号：CN117856335A
  • 申请人：东南大学
摘要：本发明公开一种考虑频率耦合效应的逆变器三阶导纳建模方法，首先，确立逆变器并网系统的主电路结构及其控制策略；其次，在考虑锁相环输出相位角的小扰动的情况下，推导逆变器主电路各电气量的dq轴频域表达式；再次，利用基于叠加定理的简化建模方法，建立仅考虑交流侧频率耦合效应的逆变器的二阶导纳模型；最后，考虑逆变器交流侧和直流侧间的频率耦合，进一步构建并网逆变器的三阶导纳矩阵模型。此种逆变器三阶导纳建模方法考虑了逆变器交流侧和交流‑直流频率耦合的LCL型并网逆变器的三阶导纳矩阵模型，能够提升逆变器并网系统稳定性分析的精确性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117856335 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202311806496.7 (22)申请日 2023.12.25 (71)申请人 东南大学 地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2 号 (72)发明人 洪芦诚　唐润悦　朱耘仪　韩琳　 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 专利代理师 葛潇敏 (51)Int.Cl. H02J 3/38 (2006.01) H02J 3/24 (2006.01) H02M 7/5387 (2007.01) G06F 17/14 (2006.01) G06F 17/16 (2006.01) 权利要求书5页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 一种考虑频率耦合效应的逆变器三阶导纳 建模方法 (57)摘要 本发明公开一种考虑频率耦合效应的逆变 器三阶导纳建模方法，首先，确立逆变器并网系 统的主电路结构及其控制策略；其次，在考虑锁 相环输出相位角的小扰动的情况下，推导逆变器 主电路各电气量的dq轴频域表达式；再次，利用 基于叠加定理的简化建模方法，建立仅考虑交流 侧频率耦合效应的逆变器的二阶导纳模型；最 后，考虑逆变器交流侧和直流侧间的频率耦合， 进一步构建并网逆变器的三阶导纳矩阵模型。此 种逆变器三阶导纳建模方法考虑了逆变器交流 侧和交流‑直流频率耦合的L

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