超低漏电的ESD保护电路及芯片2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117613834 A (43)申请公布日 2024.02.27 (21)申请号 202311578461.2 (22)申请日 2023.11.23 (71)申请人 上海类比半导体技术有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科达 尔文路88号3幢5楼 (72)发明人 陈原　王建　 (74)专利代理机构 上海君立衡知识产权代理事 务所(特殊普通合伙) 31389 专利代理师 王春丽 (51)Int.Cl. H02H 9/00 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01) H02H 9/02 (2006.01) H02H 9/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 超低漏电的ESD保护电路及芯片 (57)摘要 本申请实施例提供一种超低漏电的ESD保护 电路及芯片。其中，超低漏电的ESD保护电路的输 入端与第一PIN脚连接，所述ESD保护电路的输出 端与第二PIN脚连接；所述ESD保护电路包括串联 的ESD模块和漏电控制模块，所述漏电控制模块 的阻断电阻大于所述ESD模块的阻断电阻，以阻 止所述第一PIN脚的电流经过所述ESD保护电路 流出所述第二PIN脚。本申请实施例提供的超低 漏电的ESD保护电路可以降低电路中的漏电流。 A 4 3 8 3 1 6 7 1 1 N C CN 117613834 A