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PCT发明

一种氢氧化镍钴浸出过程中脱硅及硅再利用的方法2025

2023-11-19 07:34:05 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202380010003.0
  • 公开（公告）日：2025-05-02
  • 公开（公告）号：CN117083402A
  • 申请人：青美邦新能源材料有限公司|||格林美股份有限公司|||格林美（印尼）新能源材料有限公司
摘要：本发明公开一种氢氧化镍钴浸出过程中脱硅及硅再利用的方法，属于湿法冶金技术领域。该脱硅的方法包括：将氢氧化镍钴采用低酸高压浸出，过滤得到第一滤渣和第一滤液。本发明通过在高温高压下将硅酸转化为二氧化硅使难以过滤的硅酸转型为易过滤的二氧化硅，杂质硅沉淀的过滤性能大幅度改善，从而解决了该工序对整个生产工艺流程造成卡壳的现状；同时浸出液中的硅浓度可达到1ppm以下，效果远超采用硅酸过滤溶液中残留硅在50ppm以上的现状。此外，进一步通过高酸常压浸出获得的氢氧化镍钴脱硅渣具有较高的纯度，夹带的镍钴含量均在0.01％以下，本发明进一步以此为基础合成了CaO·Li4SiO4捕集剂，实现了硅渣的高值化再利用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117083402 A (43)申请公布日 2023.11.17 (21)申请号 202380010003.0 (74)专利代理机构 武汉智嘉联合知识产权代理 事务所(普通合伙) 42231 (22)申请日 2023.06.29 专利代理师 黄君军 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 (51)Int.Cl . 2023.08.09 C22B 23/00 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C22B 3/06 (2006.01) PCT/CN2023/104003 2023.06.29 C22B 3/08 (2006.01) (71)申请人 青美邦新能源材料有限公司 B01D 53/02 (2006.01) 地址 印度尼西亚雅加达省南雅加达市梅伽 库宁冈1-6号区10街区梅伽库宁冈西3 路苏普德尔办公大楼A栋22楼 申请人

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