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一种包覆式高介电低损耗微波铁氧体材料的制备方法2025

2024-03-18 07:57:28 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202311757604.6
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN117700221A
  • 申请人:电子科技大学
摘要:一种包覆式高介电低损耗微波铁氧体材料的制备方法,属于电子材料领域。本发明的包覆式高介电低损耗微波铁氧体材料,内核NiCuZn铁氧体是基于NiCuZn铁氧体材料,采用Ir元素进行性能调控,降低材料的微波损耗,获得优异的低损耗铁氧体;外壳是采用水热法制备的碳球,具有较好的介电常数,包覆在铁氧体的外部,均匀性好,提升材料的介电常数。本发明制得的包覆式高介电低损耗微波铁氧体材料,在微波频段(9.56GHz)具有高介电常数(ε'=30‑60)和低的微波损耗(铁磁共振线宽ΔH=120‑180Oe),满足微波频段下环行器、隔离器、移相器的应用需求。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117700221 A (43)申请公布日 2024.03.15 (21)申请号 202311757604.6 H01P 1/38 (2006.01) H01P 1/18 (2006.01) (22)申请日 2023.12.20 H01P 1/19 (2006.01) (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区(西区) 西源大道2006号 (72)发明人 王帅 李颉  肖洋 朱昕怡  袁靖瑜 王思源 刘颖力  (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心 51203 专利代理师 吴姗霖 (51)Int.Cl. C04B 35/30 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) H01F 1/01 (2006.01) H01P 1/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种包覆式高介电低损耗微波铁氧体材料 的制备方法 (57)摘要 一种包覆式高介电低损耗微波铁氧体材料 的制备方法,属于电子材料领域。本发明的包覆 式高介电低损耗微波铁氧体材料,内核NiCuZn铁 氧体是基于NiCuZn铁氧体材料,采用Ir元

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