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发明

生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用2025

2023-12-02 07:18:14 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202311093526.4
  • 公开（公告）日：2025-07-04
  • 公开（公告）号：CN117123447A
  • 申请人：华南师范大学
摘要：本发明提供了一种生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用，所述的方法包括：对M面蓝宝石衬底进行退火，使其表面形成平行排列的水平纳米沟道；将蓝宝石衬底进行表面疏水改性处理，使其表面接触角大于95°；采用气相沉积法在蓝宝石衬底表面生长DAAQ纳米线。工艺流程简化，安全且易于操作，一步实现DAAQ纳米线的生长和对准，得到的纳米线具有形貌优势，且具有高结晶度并表现出晶体取向偏好生长模式，可应用于有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机光伏电池或光电探测器产品中。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117123447 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311093526.4 C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) (22)申请日 2023.08.28 B05D 3/02 (2006.01) (71)申请人 华南师范大学 B05D 3/10 (2006.01) 地址 510006 广东省广州市番禺区外环西 路378号华南师范大学华南先进光电 子研究院 (72)发明人 许金友　陈湘涛　王皓　周国富　 (74)专利代理机构 深圳市深联知识产权代理事 务所(普通合伙) 44357 专利代理师 张琪 (51)Int.Cl. B05D 1/00 (2006.01) H10K 85/60 (2023.01) B82Y 40/00 (2011.01) C23C 14/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图7页 (54)发明名称 生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵 和应用 (57)摘要 本发明提供了一种生长DAAQ水平纳米线阵

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