一种半导体制程中的刻蚀方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117423610 A (43)申请公布日 2024.01.19 (21)申请号 202311267448.5 (22)申请日 2023.09.28 (71)申请人 广州增芯科技有限公司 地址 511338 广东省广州市增城区宁西街 香山大道2号（增城经济技术开发区核 心区内） (72)发明人 陈勇彬　 (74)专利代理机构 广州市华学知识产权代理有 限公司 44245 专利代理师 杨望仙 (51)Int.Cl. H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/033 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/762 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种半导体制程中的刻蚀方法 (57)摘要 本发明涉及半导体制造技术领域，为一种半 导体制程中的刻蚀方法，所述刻蚀方法的刻蚀对 象为晶圆，刻蚀图案包括第一区域和第二区域， 所述刻蚀图案的第一区域具有第一图形密度值， 所述刻蚀图案的第二区域具有第二图形密度值； 所述第一图形密度值大于所述第二图形密度值； 所述刻蚀方法包括：通过第一次光刻和刻蚀工艺 在所述晶圆表面形成所述第一图形密度值的图 案；在所述第一图形密度值的图案上，通过第二 次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第 二图形密度值的图案。本发明可以改善刻蚀后稀