一种砷化镓基芯片的激光切割方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117483972 A (43)申请公布日 2024.02.02 (21)申请号 202311503728.1 (22)申请日 2023.11.13 (71)申请人 中国电子科技集团公司第五十五研 究所 地址 210016 江苏省南京市秦淮区中山东 路524号 (72)发明人 潘棋　张冰　赵晖　杨彬　 (74)专利代理机构 南京经纬专利商标代理有限 公司 32200 专利代理师 林静 (51)Int.Cl. B23K 26/38 (2014.01) B23K 26/70 (2014.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种砷化镓基芯片的激光切割方法 (57)摘要 本发明公开了一种砷化镓基芯片的激光切 割方法，将砷化镓基芯片减薄至预设厚度，完成 背面工艺，得到减薄后的砷化镓基芯片；将减薄 后的砷化镓基芯片通过UV膜固定在铁环上；采用 激光划片机沿着减薄后的砷化镓基芯片上的划 片槽进行划切；对划切后的砷化镓基芯片进行扩 膜，使其分离成独立的芯片。本发明方法实现了 GaAs材料激光隐形切割，切割出的GaAs基芯片成 品率高，无切割损失宽度，工艺方案简单；无需激 光保护液旋涂辅助；切割所用激光能量极小，对 芯片基本无内部损伤。 A 2 7 9 3 8 4 7 1 1 N C CN 117483972 A 权　利　要