基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储器的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110450 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202310129169.6 (22)申请日 2023.02.08 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 黄如　徐伟凯　黄芊芊　 (74)专利代理机构 北京万象新悦知识产权代理 有限公司 11360 专利代理师 贾晓玲 (51)Int.Cl. G11C 11/22 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现 模拟和多值内容可寻址存储器的方法 (57)摘要 本发明提供了一种基于脉冲宽度调制铁电 场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储 器的方法，属于新型存储与计算技术领域。本发 明利用脉冲宽度的互补信息实现了基于脉冲宽 度调制FeFET的ACAM和MCAM，相较于传统ACAM和 MCAM的实现方式 ，不需要额外的晶体管以及复杂 的模拟外围电路，仅需要共用的几个逻辑门即可 实现，具有更加简洁的实现方式与更低的硬件开 销，并且搜索过程中仅需要一个电压幅值VDD，更 易与数字系统兼容。此外基于脉冲宽度的搜索 query与存储entry的编码方式，使其存储范围不 A 受FeFET的存储窗口限制，可以获得更多bit数量 0 的MCAM，以进一步提高CAM的存储密度和搜索能 5 4 0 效，具有广阔的应用前景。 1 1 6 1 1 N C