一种半导体处理设备2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116904970 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202310965852.3 (22)申请日 2023.07.31 (71)申请人 重庆理工大学 地址 400054 重庆市巴南区红光大道69号 (72)发明人 刘强　陈辉江　聂喻梅　 (74)专利代理机构 重庆强大凯创专利代理事务 所(普通合伙) 50217 专利代理师 王攀 (51)Int.Cl. C23C 16/458 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种半导体处理设备 (57)摘要 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种半 导体处理设备，包括基座、外壳和晶舟基座上设 有注气端口 ，外壳上设有抽气端口，外壳罩覆在 晶舟外侧，晶舟每层支撑平台的上方均设有注气 盘，注气盘包括上盘体和转动在上盘体底部的下 盘体，上盘体内部设有加压气道和叶轮腔，加压 气道与注气端口连通，叶轮腔内设有与下盘体固 定的叶轮，下盘体内部设有与叶轮腔连通的布气 腔，布气腔的底部开设有条形布气口。本发明可 解决现有技术中对晶圆沉积过程中薄膜厚度均 匀程度的解决方式，或采用气体从外环绕向晶圆 中心扩散接触的方式，或采用晶圆在大量气体环 A 境中旋转接触气体的方式，均存在沉积的薄膜边 0 缘厚度大于中心厚度的情况，薄膜厚度仍存在不 7 9 4 均匀的问题。 0 9 6 1 1