一种气相刻蚀制备的MXene及其方法和用途

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116040632 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202111263248.3 (22)申请日 2021.10.28 (71)申请人 北京航空航天大学 地址 100191 北京市海淀区学院路37号北 京航空航天大学 (72)发明人 杨树斌　郭禹　 (74)专利代理机构 北京谱帆知识产权代理有限 公司 11944 专利代理师 张慧娟　王芊雨 (51)Int.Cl. C01B 32/921 (2017.01) C01B 32/90 (2017.01) C09D 7/61 (2018.01) C09D 5/08 (2006.01) C08K 3/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图13页 (54)发明名称 一种气相刻蚀制备的MXene及其方法和用途 (57)摘要 本发明公开了一种气相刻蚀制备的MXene及 其方法和用途，其中，该方法通过气态的刻蚀剂 与MAX相材料发生刻蚀反应得到MXene，其中，刻 蚀剂选自：金属氯化盐；或硼的氯化物、碳的氯化 物、硅的氯化物或磷的氯化物 ；或氯代烃的一种 或多种；当常温下，刻蚀剂为液态或固态时，还包 括将刻蚀剂加热，使刻蚀剂转变为气态。本发明 的方法为制备MXene提供了新的刻蚀剂，拓展了 MXene的制备技术路线，不涉及酸洗、干燥等后处 理过程，提高了制备效率，产物MXene的纯度