一种离子阱
- 申请专利号:CN202320775837.8
- 公开(公告)日:2023-05-05
- 公开(公告)号:CN218975393U
- 申请人:安益谱(苏州)医疗科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218975393 U (45)授权公告日 2023.05.05 (21)申请号 202320775837.8 (22)申请日 2023.04.11 (73)专利权人 安益谱(苏州)医疗科技有限公司 地址 215127 江苏省苏州市苏州工业园区 展业路18号展业大厦C栋4层西 (72)发明人 张小华 张智宏 朱敏杰 杨锋博 (74)专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有 限公司 32103 专利代理师 周敏 (51)Int.Cl. H01J 49/42 (2006.01) H01J 49/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图10页 (54)实用新型名称 一种离子阱 (57)摘要 本实用新型涉及一种离子阱。其包括两两相 对设置的四个电极,四个电极之间形成一个类似 长方体的离子通道,其中一个电极为第一电极且 具有与离子通道相连通的通槽,通槽配置为使得 离子通过该通槽到达离子通道外部的区域;离子 阱还包括对称设置在离子通道两端的两个端电 极,端电极具有孔,孔配置为使得离子通过该孔 进入离子通道内;通槽远离离子通道的端面具有 朝向离子通道拱起的第一曲面和/或端电极的两 端之间具有朝向离子通道拱起的第二曲面。本实 用新型通过对电极的设计,尤其通过对端电极 和/或第一电极的设计,使得离子束能够聚集在 U 离子通道中央的狭窄空间内,增强了离子束轴向 3 聚焦,提高了离子的传输效率。 9 3 5
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