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半导体处理装置及温度调整方法2025

2023-11-27 07:21:29 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311091287.9
  • 公开(公告)日:2025-07-15
  • 公开(公告)号:CN117107223A
  • 申请人:无锡先为科技有限公司
摘要:本申请实施例公开了一种半导体处理装置及温度调整方法,所述半导体处理装置通过在盖体朝向基座的一面开设窗口,在反应腔的外侧设置调温组件,调温组件包括第二加热组件和阻断部件,第二加热组件通过窗口形成能够向基座的第一表面上的承载区传递能量的传递路径,阻断部件能够对传递路径传递的能量的量进行调节,实现对随基座旋转的晶圆的表面温度的调节,提升晶圆表面温度的均匀性,进一步提升晶圆表面成膜厚度的均匀性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117107223 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311091287.9 (22)申请日 2023.08.28 (71)申请人 无锡先为科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区行创四 路7号 (72)发明人 请求不公布姓名  (74)专利代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 专利代理师 马广旭 (51)Int.Cl. C23C 16/46 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 半导体处理装置及温度调整方法 (57)摘要 本申请实施例公开了一种半导体处理装置 及温度调整方法,所述半导体处理装置通过在盖 体朝向基座的一面开设窗口,在反应腔的外侧设 置调温组件,调温组件包括第二加热组件和阻断 部件,第二加热组件通过窗口形成能够向基座的 第一表面上的承载区传递能量的传递路径,阻断 部件能够对传递路径传递的能量的量进行调节, 实现对随基座旋转的晶圆的表面温度的调节,提 升晶圆表面温度的均匀性,进一步提升晶圆表面 成膜厚度的均匀性。 A 3 2 2 7 0 1 7 1 1 N C CN 117107223 A 权 利 要 求 书

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