半导体处理装置及温度调整方法2025
- 申请专利号:CN202311091287.9
- 公开(公告)日:2025-07-15
- 公开(公告)号:CN117107223A
- 申请人:无锡先为科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117107223 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311091287.9 (22)申请日 2023.08.28 (71)申请人 无锡先为科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区行创四 路7号 (72)发明人 请求不公布姓名 (74)专利代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 专利代理师 马广旭 (51)Int.Cl. C23C 16/46 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 半导体处理装置及温度调整方法 (57)摘要 本申请实施例公开了一种半导体处理装置 及温度调整方法,所述半导体处理装置通过在盖 体朝向基座的一面开设窗口,在反应腔的外侧设 置调温组件,调温组件包括第二加热组件和阻断 部件,第二加热组件通过窗口形成能够向基座的 第一表面上的承载区传递能量的传递路径,阻断 部件能够对传递路径传递的能量的量进行调节, 实现对随基座旋转的晶圆的表面温度的调节,提 升晶圆表面温度的均匀性,进一步提升晶圆表面 成膜厚度的均匀性。 A 3 2 2 7 0 1 7 1 1 N C CN 117107223 A 权 利 要 求 书
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