存储器子系统中的编程操作期间的预增压方案

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838509 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202110703175.9 (22)申请日 2021.06.24 (30)优先权数据 16/910,789 2020.06.24 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 H-Y ·陈　Y ·董　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 彭晓文 (51)Int.Cl. G11C 16/08 (2006.01) G11C 16/24 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图6页 (54)发明名称 辑进一步致使在所述预增压阶段期间在所述第 存储器子系统中的编程操作期间的预增压 一正预增压电压斜降到接地电压之前所述第二 方案 正预增压电压斜降到所述接地电压。 (57)摘要 本申请涉及存储器子系统中的编程操作期 间的预增压方案。存储器装置中的控制逻辑在存 储器阵列上起始编程操作，所述编程操作包括在 编程阶段之前发生的预增压阶段。所述控制逻辑 致使在所述预增压阶段期间将第一正预增压电 压施加到所述存储器阵列的数据块的第一多个 字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到