读出电路的版图结构和数据读出方法
- 申请专利号:CN202111347655.2
- 公开(公告)日:2025-06-24
- 公开(公告)号:CN116129960A
- 申请人:长鑫存储技术有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116129960 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202111347655.2 (22)申请日 2021.11.15 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 池性洙 (74)专利代理机构 上海晨皓知识产权代理事务 所(普通合伙) 31260 专利代理师 成丽杰 (51)Int.Cl. G11C 11/4091 (2006.01) G11C 8/14 (2006.01) G11C 7/18 (2006.01) 权利要求书4页 说明书12页 附图10页 (54)发明名称 读出电路的版图结构和数据读出方法 (57)摘要 本公开涉及半导体电路设计领域,涉及一种 读出电路的版图结构和数据读出方法,包括 :具 有相同构造的第一读出电路结构和第二读出电 路结构,第一读出电路结构和第二读出电路结构 均包括:第一隔离模块,用于根据第一隔离信号 导通,电连接位线和第一读出位线,电连接互补 位线和第一互补读出位线;第二隔离模块,用于 根据第二隔离信号导通,电连接第一读出位线和 第二读出位线,电连接第一互补读出位线和第二 互补读出位线;感测放大模块,用于第一隔离模 块和第二隔离模块导通时,感测并读出存储阵列 的数据信号;偏移消除模块,用于根据偏移消除 A 信号 ,电连接第一互补读出位线与第二读出位
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