一种RC-IGBT器件及其制作方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072543 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202310287466.3 (22)申请日 2023.03.23 (71)申请人 上海陆芯电子科技有限公司 地址 201203 上海市浦东新区中国 （上海） 自由贸易试验区蔡伦路1690号2幢409 室 (72)发明人 李豪　张杰　 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 专利代理师 苏舒音 (51)Int.Cl. H01L 21/331 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/08 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 一种RC-IGBT器件及其制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种RC‑IGBT器件及其制作方 法，制作方法包括：形成具备正面元胞结构的RC‑ IGBT硅基；向RC‑IGBT硅基的背面注入第一类型 杂质离子依次形成第一类型缓冲区和第一类型 集电区；对第一类型集电区远离第一类型缓冲区 的表面进行处理形成多个凹槽，其中，凹槽的深 度大于设定深度；向处理后的第一类型集电区远 离第一类型缓冲区的表面注入第二类型杂质离 子，形成第二类型集电区 ；去除部分第二类型集 电区以裸露部分第一类型集电区，同时保留凹槽 内的第二类型集电