发明

一种浪涌电流抑制装置

2023-06-02 13:45:55 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011420754.4
  • 公开(公告)日:2025-03-11
  • 公开(公告)号:CN112582998A
  • 申请人:佛山市讯能电子科技有限公司
摘要:本发明公开了一种浪涌电流抑制装置,包括:交流输入端口、负载接入端口、电源电路、双向可控硅DA、限流电阻RA、第一继电器、可控硅驱动电路以及时序控制电路。本技术方案在通电启动后,利用可控硅驱动电路控制双向可控硅DA导通的时刻,利用可控硅驱动电路根据所连接的负载类型设置双向可控硅DA的导通时刻,从而降低通电时所产生浪涌电流;本技术方案在通电启动后进行延时操作,在延时第一时间段后令火线输入端口以及第一接入端口短接,使双向可控硅DA以及限流电阻RA短路,从而降低电能损耗。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582998 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011420754.4 (22)申请日 2020.12.08 (71)申请人 佛山市讯能电子科技有限公司 地址 528000 广东省佛山市南海区桂城街 道夏东三洲围仔夏东经济联合社工业 开发新区泓科楼二楼西之二 (72)发明人 黎志铭  (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 44205 代理人 叶洁勇 (51)Int.Cl. H02H 9/02 (2006.01) H02M 1/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种浪涌电流抑制装置 (57)摘要 本发明公开了一种浪涌电流抑制装置,包 括:交流输入端口、负载接入端口、电源电路、双 向可控硅DA、限流电阻RA、第一继电器、可控硅驱 动电路以及时序控制电路。本技术方案在通电启 动后,利用可控硅驱动电路控制双向可控硅DA导 通的时刻,利用可控硅驱动电路根据所连接的负 载类型设置双向可控硅DA的导通时刻,从而降低 通电时所产生浪涌电流;本技术方案在通电启动 后进行延时操作,在延时第一时间段后令火线输 入端口以及第一接入端口短接,使双向可控硅DA 以及限流电阻RA短路,从而降低电能损耗。 A 8 9 9 2 8 5 2 1 1 N C CN 112582998 A

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