发明

基底同侧设置有双PMUT的微机械超声换能器结构及其制造方法2024

2024-02-15 07:46:33 发布于四川 5
  • 申请专利号:CN202210959236.2
  • 公开(公告)日:2024-02-13
  • 公开(公告)号:CN117548320A
  • 申请人:天津大学
摘要:本发明涉及一种微机械超声换能器结构及其制造方法,该微机械超声换能器结构包括PMUT单元,PMUT单元包括PMUT基底、第一PMUT和第二PMUT,每个PMUT包括第一电极层、第二电极层与压电层,其中:第一PMUT和第二PMUT在横向上彼此间隔开设置在PMUT基底的一侧;第一PMUT的压电层的压电系数高于第二PMUT的压电层的压电系数,且第一PMUT的压电层的介电常数低于第二PMUT的压电层的介电常数。本发明还涉及一种包括了上述的微机械超声换能器结构的电子设备。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117548320 A (43)申请公布日 2024.02.13 (21)申请号 202210959236.2 (22)申请日 2022.08.05 (71)申请人 天津大学 地址 300072 天津市南开区卫津路92号 (72)发明人 庞慰 牛鹏飞 张孟伦  (74)专利代理机构 北京金诚同达律师事务所 11651 专利代理师 汤雄军 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) B06B 3/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书13页 附图4页 (54)发明名称 基底同侧设置有双PMUT的微机械超声换能 器结构及其制造方法 (57)摘要 本发明涉及一种微机械超声换能器结构及 其制造方法,该微机械超声换能器结构包括PMUT 单元,PMUT单元包括PMUT基底、第一PMUT和第二 PMUT ,每个PMUT包括第一电极层、第二电极层与 压电层,其中:第一PMUT和第二PMUT在横向上彼 此间隔开设置在PMUT基底的一侧;第一PMUT的压 电层的压电系数高于第二PMUT的压电层的压电 系数,且第一PMUT的压电层的介电常数低于第二 PMUT的压电层的介电常数。本发明还涉及一种包 括了上述的微机械超声换能器结构的电子设备。 A 0 2 3 8 4 5 7 1 1 N C CN

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